300mW,BZX384 系列,NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX384-B 和大约 5% BZX384-C 表面安装外壳:SOD-323 SC-76 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
•Voltage regulator diodes • Total power dissipation: max. 300 mW • Working voltage range: nominal 2.4 to 75 V E24 range • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. •Low-power voltage regulator diodes
欧时:
### 齐纳二极管 300mW,BZX384 系列,NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX384-B 和大约 5% BZX384-C 表面安装外壳:SOD-323 SC-76 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
Newark:
# NXP BZX384-B13 ZENER DIODE, 0.3W, 13V, SOD-323
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BZX384-B13 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BZX384-B13,115 安世 | 类似代替 | BZX384-B13和BZX384-B13,115的区别 |
PZU13B1,115 恩智浦 | 类似代替 | BZX384-B13和PZU13B1,115的区别 |
PZU13B3,115 恩智浦 | 类似代替 | BZX384-B13和PZU13B3,115的区别 |