BC858W

NXP  BC858W  晶体管 双极-射频, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 800 hFE 新

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −30V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −30V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800

管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V

耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W

Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 65 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification.

描述与应用| PNP通用 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。