BSH111BK

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BSH111BK中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 302 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 0.21A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSH111BK
型号: BSH111BK
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BSH111BK  小信号场效应管, MOSFET 新
替代型号BSH111BK
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSH111BK

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BSH111,215

恩智浦

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BSH111BK和BSH111,215的区别

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