P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
RF Amplifier IC
得捷: BGA6L1BN6 - RF MMIC SUB 3 GHZ
贸泽: 射频放大器 RF SILICON MMIC
艾睿: BGA6L1BN6E6327XTSA1
富昌: RF SILICON MMIC
封装 TSNP-6
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册