BF570

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BF570概述

NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 490MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN Silicon RF Transistor Common emitter IF/RF amplifier Low feedback capacitance due to shield diffusion 描述与应用| NPN硅RF晶体管 升中频/射频共发射极放大器 低反馈电容 由于屏蔽扩散


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors


BF570中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 15 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BF570
型号: BF570
制造商: NXP 恩智浦
描述:NPN 晶体管,NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号BF570
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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