PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~260 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −150mV/-0.15V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 32 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大32 V)。 应用 •通用开关和放大
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCW29 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCW29,215 安世 | 功能相似 | BCW29和BCW29,215的区别 |
BCW29,235 恩智浦 | 功能相似 | BCW29和BCW29,235的区别 |