BCW29

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BCW29概述

PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~260 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −150mV/-0.15V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 32 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大32 V)。 应用 •通用开关和放大

BCW29中文资料参数规格
技术参数

最小电流放大倍数hFE 90

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BCW29
型号: BCW29
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP 晶体管,NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号BCW29
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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