BZX384-B12

300mW，BZX384 系列，NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX384-B 和大约 5% BZX384-C 表面安装外壳：SOD-323 SC-76 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 11.8V

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平均Typ.| 12V

最大max.| 12.2V

误差Tolerance| 2%

最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 10Ω/ohm

最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.1uA

最大耗散功率PdPower dissipation| 300mW/0.3W

Description & Applications| •Voltage regulator diodes • Total power dissipation: max. 300 mW • Working voltage range: nominal 2.4 to 75 V E24 range • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. •Low-power voltage regulator diodes

描述与应用| •电压稳压二极管 •总功耗：最大。 300mw •非重复性峰值反向功耗：最大。40w。 •低功耗稳压二极管