BSC110N06NS3G

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BSC110N06NS3G概述

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


立创商城:
N沟道 60V 50A


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON T/R


力源芯城:
60V,50A,N沟道功率MOSFET


BSC110N06NS3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

上升时间 77 ns

输入电容Ciss 2000pF @30VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.49 mm

高度 1.1 mm

封装 TDSON

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSC110N06NS3G
型号: BSC110N06NS3G
描述:Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号BSC110N06NS3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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英飞凌

功能相似

BSC110N06NS3G和BSC110N06NS3GATMA1的区别

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