BSZ215CHXTMA1概述
1个N沟道和1个P沟道 20V 3.2A 5.1A
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 20V 5.1A，3.2A 2.5W 表面贴装型 PG-TSDSON-8
得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
欧时:
Infineon MOSFET BSZ215CHXTMA1
立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 20V 5.1A 3.2A
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A 8-Pin TSDSON T/R
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
BSZ215CHXTMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N+P
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 5.1A/3.2A
输入电容Ciss 419pF @10VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TSDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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