BSC020N03LSG

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BSC020N03LSG中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

封装参数

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8-1

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买BSC020N03LSG
型号: BSC020N03LSG
描述:30V,100A,N沟道功率MOSFET
替代型号BSC020N03LSG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSC020N03LSG

Infineon 英飞凌

当前型号

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完全替代

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