BU2527AF

BU2527AF图片1
BU2527AF中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 800 V

集电极最大允许电流 12A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

BU2527AF引脚图与封装图
BU2527AF引脚图
BU2527AF封装图
BU2527AF封装焊盘图
在线购买BU2527AF
型号: BU2527AF
制造商: NXP 恩智浦
描述:硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor
替代型号BU2527AF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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