P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
表面贴装型 N 通道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），27W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
得捷:
MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
欧时:
Infineon MOSFET BSZ0506NS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin TSDSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
额定功率 27 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-CH
耗散功率 27 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 700 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 2.4 ns
输入电容Ciss 950pF @15VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 27W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON-8-FL
封装 PG-TSDSON-8-FL
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 E-fuse, CPU/GPU VR in notebooks, High power density voltage regulator, Or-ing, Single-phase and multiphase POL, and
RoHS标准
含铅标准 Lead Free