BFR193E6327

BFR193E6327图片1
BFR193E6327中文资料参数规格
技术参数

频率 8 GHz

额定电压DC 12.0 V

额定电流 65.0 mA

极性 NPN

耗散功率 580 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BFR193E6327
型号: BFR193E6327
描述:NPN双极RF晶体管 NPN Bipolar RF Transistor
替代型号BFR193E6327
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