BSS138N N沟道MOSFET 60V 230mA/0.23A SOT-23/SC-59 marking/标记 SK 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 230mA/0.23A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.3Ω/Ohm @30mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.6-1.4V 耗散功率Pd Power Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| SIPMOS ®Small-Signal-Transistor • N-channel • Enhancement mode • Logic level • dv /dt rated 描述与应用| SIPMOS®小信号 •N沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定
通道数 1
漏源极电阻 3.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 230 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.3 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS138N Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS138NH6327 英飞凌 | 完全替代 | BSS138N和BSS138NH6327的区别 |
BSS138NL6327 英飞凌 | 类似代替 | BSS138N和BSS138NL6327的区别 |
BSS138NE6327 英飞凌 | 类似代替 | BSS138N和BSS138NE6327的区别 |