BSC020N03MSG参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BSC020N03MSG图片1

BSC020N03MSG图片2

BSC020N03MSG中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 96.0 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 9600pF @15VVds

额定功率Max 96 W

下降时间 14 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SuperSO-8

外形尺寸

封装 SuperSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

BSC020N03MSG引脚图与封装图

BSC020N03MSG引脚图

BSC020N03MSG封装焊盘图

在线购买BSC020N03MSG

型号： BSC020N03MSG

制造商： Infineon 英飞凌

描述：30V,100A,N沟道功率MOSFET

替代型号BSC020N03MSG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSC020N03MSG Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BSC077N12NS3G 英飞凌	完全替代	BSC020N03MSG和BSC077N12NS3G的区别
BSC057N03MSG 英飞凌	类似代替	BSC020N03MSG和BSC057N03MSG的区别
BSC050N03MSG 英飞凌	类似代替	BSC020N03MSG和BSC050N03MSG的区别