BSO065N03MS G

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BSO065N03MS G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.56 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 6.2 ns

输入电容Ciss 3100pF @15VVds

额定功率Max 1.56 W

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSO065N03MS G
型号: BSO065N03MS G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin DSO

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