BSC886N03LSG参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BSC886N03LSG中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON EP

外形尺寸

封装 TDSON EP

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买BSC886N03LSG

型号： BSC886N03LSG

制造商： Infineon 英飞凌

描述：30V,6mΩ,65A,N沟道功率MOSFET

替代型号BSC886N03LSG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSC886N03LSG Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BSC042N03LSG 英飞凌	完全替代	BSC886N03LSG和BSC042N03LSG的区别
BSC020N03LSG 英飞凌	完全替代	BSC886N03LSG和BSC020N03LSG的区别
BSC057N03LSG 英飞凌	完全替代	BSC886N03LSG和BSC057N03LSG的区别