BZT52B75S

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BZT52B75S中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

测试电流 2 mA

稳压值 75 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323-2

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOD-323-2

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BZT52B75S
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:200mW,BZT52B...S 系列,Taiwan Semiconductor 齐纳电压容差为 2% 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

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