BC858AE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC858AE6327概述

PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon

通用 PNP ，

### 双极晶体管，Infineon

TME:
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SOT23

Win Source:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23

BC858AE6327中文资料参数规格

技术参数

频率 250 MHz

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买BC858AE6327

型号： BC858AE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：PNP 晶体管，Infineon ### 双极晶体管，Infineon

替代型号BC858AE6327