BLF6G22S-45,112

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BLF6G22S-45,112中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 200 mΩ

阈值电压 1.9 V

漏源击穿电压 65 V

输出功率 2.5 W

增益 18.5 dB

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-608-3

外形尺寸

封装 SOT-608-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BLF6G22S-45,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 65V 3Pin CDFM Bulk

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