BSM100GB120DN2

BSM100GB120DN2图片1
BSM100GB120DN2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 800 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

封装 Half Bridge2

外形尺寸

长度 106.4 mm

宽度 61.4 mm

高度 30 mm

封装 Half Bridge2

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSM100GB120DN2
型号: BSM100GB120DN2
描述:IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate
替代型号BSM100GB120DN2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSM100GB120DN2

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