BFR193WE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BFR193WE6327概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A IC, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount SOT-323

得捷:
HIGH LINEARITY TRANSISTOR

艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

BFR193WE6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 65.0 mA

输入电容 1.8 pF

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 580 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BFR193WE6327

型号： BFR193WE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A IC, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

替代型号BFR193WE6327