BSD223PL6327参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BSD223PL6327中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 56pF @15VVds

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VSSOP-6

外形尺寸

封装 VSSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSD223PL6327

型号： BSD223PL6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：20V,-0.39A,P沟道功率MOSFET

替代型号BSD223PL6327

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代替类型

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Infineon 英飞凌

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BSD223P

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