BSC080N03LSG中文资料参数规格 技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 2.8 ns
输入电容Ciss 1300pF @15VVds
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDSON
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买BSC080N03LSG 型号： BSC080N03LSG
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：30V,52A,N沟道功率MOSFET
