BSD816SNL6327中文资料参数规格 技术参数
极性 N-Channel
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 126pF @10VVds
下降时间 2.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BSD816SNL6327 型号： BSD816SNL6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：20V,1.4A,N沟道功率MOSFET
