BCP56-10T1

BCP56-10T1图片1
BCP56-10T1图片2
BCP56-10T1图片3
BCP56-10T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

增益频宽积 130 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.57 mm

封装 SOT-223-4

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCP56-10T1
型号: BCP56-10T1
描述:NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial Transistor
替代型号BCP56-10T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCP56-10T1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BCP56

安森美

类似代替

BCP56-10T1和BCP56的区别

BCP56-16T1G

安森美

功能相似

BCP56-10T1和BCP56-16T1G的区别

BCP56T1G

安森美

功能相似

BCP56-10T1和BCP56T1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台