BSZ120P03NS3G

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BSZ120P03NS3G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

封装参数

封装 TSDSON EP

外形尺寸

封装 TSDSON EP

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSZ120P03NS3G
型号: BSZ120P03NS3G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:30V,-40A,P沟道功率MOSFET
替代型号BSZ120P03NS3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSZ120P03NS3G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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