BSC028N06LS3G

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BSC028N06LS3G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 139 W

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率Max 2.5W Ta, 139W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

宽度 6.1 mm

封装 PG-TDSON-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

BSC028N06LS3G引脚图与封装图
BSC028N06LS3G引脚图
BSC028N06LS3G封装焊盘图
在线购买BSC028N06LS3G
型号: BSC028N06LS3G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:60V,100A,N沟道功率MOSFET,带逻辑电平
替代型号BSC028N06LS3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSC028N06LS3G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BSC026N02KSG

英飞凌

完全替代

BSC028N06LS3G和BSC026N02KSG的区别

BSC046N02KSG

英飞凌

完全替代

BSC028N06LS3G和BSC046N02KSG的区别

BSC100N06LS3G

英飞凌

完全替代

BSC028N06LS3G和BSC100N06LS3G的区别

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