漏源极电压Vds 30 V
上升时间 3.8 ns
输入电容Ciss 3100pF @15VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 3 ns
封装 S3O8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
BSZ058N03MSG
Infineon 英飞凌
当前型号
BSZ058N03LSG
英飞凌
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