40V,100A,N沟道功率MOSFET
Summary of Features:
Benefits:
极性 N-CH
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 27A
下降时间 4 ns
封装 SuperSO-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册