BS108ZL1

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BS108ZL1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 250 mA

漏源极电阻 8.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 250 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BS108ZL1
型号: BS108ZL1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:N沟道TO-92-3封装场效应管
替代型号BS108ZL1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BS108ZL1

ON Semiconductor 安森美

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