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BSB014N04LX3G中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.4 mΩ

耗散功率 2.8 W

漏源击穿电压 40 V

上升时间 8.4 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 WDSON-2-3

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.05 mm

高度 0.7 mm

封装 WDSON-2-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSB014N04LX3G

型号： BSB014N04LX3G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：40V,1.4mΩ,180A,N沟道功率MOSFET

替代型号BSB014N04LX3G

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