BSC050N03MSG

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BSC050N03MSG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 50.0 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 3600pF @15VVds

额定功率Max 50 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SuperSO-8

外形尺寸

封装 SuperSO-8

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSC050N03MSG
型号: BSC050N03MSG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:30V,80A,N沟道功率MOSFET
替代型号BSC050N03MSG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSC050N03MSG

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BSC060N10NS3G

英飞凌

完全替代

BSC050N03MSG和BSC060N10NS3G的区别

BSC077N12NS3G

英飞凌

完全替代

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