BSC029N025SG参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSC029N025SG概述

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

N-Channel 25 V 24A Ta, 100A Tc 2.8W Ta, 78W Tc Surface Mount PG-TDSON-8-1

得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET

立创商城:
N沟道 25V 100A 24A

Win Source:
OptiMOS?2 Power-Transistor

BSC029N025SG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 24.0 A

输入电容 5.09 nF

栅电荷 41.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 100 A

输入电容Ciss 5090pF @15VVds

额定功率Max 78 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TDSON-8

外形尺寸

封装 TDSON-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BSC029N025SG

制造商： Infineon 英飞凌

描述：OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor