BSP149L6327

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BSP149L6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 140 mA

极性 N-Channel

耗散功率 1.80 W

输入电容 430 pF

栅电荷 14.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 140 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-223-3

外形尺寸

封装 SOT-223-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSP149L6327
型号: BSP149L6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:200V,0.14A,N沟道功率MOSFET
替代型号BSP149L6327
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