BSC152N10NSFG参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BSC152N10NSFG图片1

BSC152N10NSFG图片2

BSC152N10NSFG中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 114 W

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 1900pF @50VVds

额定功率Max 114 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSC152N10NSFG

型号： BSC152N10NSFG

制造商： Infineon 英飞凌

描述：OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor

替代型号BSC152N10NSFG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSC152N10NSFG Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BSC160N10NS3GATMA1 英飞凌	功能相似	BSC152N10NSFG和BSC160N10NS3GATMA1的区别
FDMS3662 飞兆/仙童	功能相似	BSC152N10NSFG和FDMS3662的区别
BSC152N10NSFGATMA1 英飞凌	功能相似	BSC152N10NSFG和BSC152N10NSFGATMA1的区别