BCR169S

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BCR169S中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BCR169S
制造商: Infineon 英飞凌
描述:PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor

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