BSC100N03LSG

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BSC100N03LSG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 30.0 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1500pF @15VVds

额定功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SuperSO-8

外形尺寸

封装 SuperSO-8

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSC100N03LSG
型号: BSC100N03LSG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的OptiMOS ™ 3功率MOSFET OptiMOS™3 Power-MOSFET
替代型号BSC100N03LSG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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