BCW60FN

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BCW60FN概述

NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 100MA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 250MHZ 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 380~630 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.12V~0.55V 耗散功率PcPower Dissipation | 330MW/0.33W Description & Applications
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NPN Silicon AF Transistors. * For AF input stages and driver applications. * High current gain. * Low collector-emitter saturation voltage. * Low noise between 30 Hz and 15 kHz. 描述与应用 | * NPN硅晶体管自动对焦。 * 对于AF输入级和驱动器应用。 * 高电流增益。 * 低集电极 - 发射极饱和电压。 * 30 Hz和15千赫之间的低噪音。
BCW60FN中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BCW60FN
制造商: Infineon 英飞凌
描述:NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors

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