BSM35GD120DN2

BSM35GD120DN2图片1
BSM35GD120DN2概述

Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 17Pin ECONOPACK 2

* Power module * 3-phase full-bridge * Including fast free-wheel diodes * Package with insulated metal base plate


得捷:
IGBT MOD 1200V 50A 280W


贸泽:
IGBT Modules 1200V 35A 3-PHASE


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 17-Pin ECONO2-2


安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 50A 17-Pin ECONOPACK 2


罗切斯特:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 50A 17-Pin ECONOPACK 2


BSM35GD120DN2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 280 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 2nF @25V

额定功率Max 280 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 280000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 17

封装 ECONO2-2

外形尺寸

长度 107.5 mm

宽度 45.5 mm

高度 17 mm

封装 ECONO2-2

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BSM35GD120DN2
型号: BSM35GD120DN2
描述:Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A 17Pin ECONOPACK 2
替代型号BSM35GD120DN2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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当前型号

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