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BSC0908NS中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6.7 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 34 V

漏源击穿电压 34 V

连续漏极电流Ids 14A

输入电容Ciss 1220pF @15VVds

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 TDSON-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSC0908NS

型号： BSC0908NS

制造商： Infineon 英飞凌

描述：N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET

替代型号BSC0908NS

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSC0908NS Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BSC042N03LSG 英飞凌	类似代替	BSC0908NS和BSC042N03LSG的区别
BSC080N03LSGATMA1 英飞凌	功能相似	BSC0908NS和BSC080N03LSGATMA1的区别
BSC0909NS 英飞凌	功能相似	BSC0908NS和BSC0909NS的区别