BSC886N03LS G

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BSC886N03LS G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 2100pF @15VVds

额定功率Max 39 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSC886N03LS G
型号: BSC886N03LS G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin TDSON EP T/R

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