BCW68GE6327

BCW68GE6327图片1
BCW68GE6327概述

SOT-23 PNP 45V 0.8A

Bipolar BJT Transistor


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 330mW; SOT23


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BCW68GE6327中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCW68GE6327
型号: BCW68GE6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SOT-23 PNP 45V 0.8A
替代型号BCW68GE6327
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCW68GE6327

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BCW68GE6327和BCW68GE6433的区别

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