BCR521E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCR521E6327概述

SOT-23 NPN 50V 500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

TME:
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 330mW; SOT23; R1:1kΩ

BCR521E6327中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR521E6327

型号： BCR521E6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-23 NPN 50V 500mA

替代型号BCR521E6327

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BCR521E6327 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号

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