BCR185SE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCR185SE6327概述

SOT-363 PNP 50V 100mA

Bipolar BJT Transistor

得捷:
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

BCR185SE6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BCR185SE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-363 PNP 50V 100mA