BCR133WE6327

BCR133WE6327概述

SOT-323 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


得捷:
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR


立创商城:
BCR133WE6327


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


BCR133WE6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.00 V

电容 3.00 pF

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 130 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR133WE6327
型号: BCR133WE6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SOT-323 NPN 50V 100mA
替代型号BCR133WE6327
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BCR133WE6327

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BCR133WE6327和BCR133W的区别

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