BCR183WE6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCR183WE6327概述

1个PNP-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

立创商城:
1个PNP-预偏置 100mA 50V

得捷:
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

BCR183WE6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR183WE6327

型号： BCR183WE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：1个PNP-预偏置 100mA 50V