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BC858BE6327中文资料参数规格

技术参数

频率 250 MHz

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC858BE6327

型号： BC858BE6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-23 PNP 30V 0.1A

替代型号BC858BE6327

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC858BE6327 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BC858AE6327 英飞凌	类似代替	BC858BE6327和BC858AE6327的区别
BC858B-7-F 美台	功能相似	BC858BE6327和BC858B-7-F的区别
BC858B 恩智浦	功能相似	BC858BE6327和BC858B的区别