BF998E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BF998E6327概述

N沟道 12V 30mA

RF Mosfet

立创商城:
N沟道 12V 30mA

得捷:
BF998 - RF SMALL SIGNAL TRANSIST

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 12V; 30mA; 200mW; SOT143; SMT

BF998E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 30 mA

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 12.0 V

连续漏极电流Ids 300 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-143

外形尺寸

宽度 1.3 mm

封装 SOT-143

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BF998E6327

型号： BF998E6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：N沟道 12V 30mA

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BF998E6327

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