BC857SH6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC857SH6327概述

SOT-363 PNP 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6

得捷:
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR

TME:
Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT363

BC857SH6327中文资料参数规格

技术参数

频率 250 MHz

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC857SH6327

型号： BC857SH6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-363 PNP 45V 0.1A